个能级，他们得到一个电子以后显一个负电荷，失去一个电子以后显正电荷，这样的能级成为中性能级。
如果中性能机和半导体体内的肺米能级是不相等的。那么体内的电子就要一部分流入表面。随着电子流的越多，在电子表面附近就会形成一个内建电场，因为表面获得负电的电子，而体内失去电子显现正点，所以内电场的方向是由半导体的体内指向表面。这就导致在半导体表面附近的能带呈现弯曲。表面的电视低于体内的电视。所以就能量而言，表面的能量高于体内的能量。所以半导体表面附近的能级是向上弯的。这样就形成了一个势磊，同时内建电厂也阻止了电子的继续扩散。就是表面态的一个例子。
然后还存在着另一种极端的情况，就是当中性能级的能态密度极大的时候，同样也是半导体体内和表面之间产生电荷的流动，流动的电荷会改变体内的费米能级，但由于表面态的能态密度非常大，即使流动很多的电子，中性能级也不会有很多的变化。我们称这个中性能极为能态的海洋。最终趋平衡的时候，整体的费米能级其实是拉平的。所以半导体体内的肺米能级会趋同于表面的中性能级。相当于中性能级，把体内的费米能级盯在了它的位置。这就是钉扎效应。与金属接触以后也。是这样。如果你在半导体的表面放一块金属的话。如果金属的分泌能级与中性能级不相同。能太密度较大的中性能级就会与金属内部的电子产生交换，最终使金属内部的费米能级也等于中性能级，这就解释了为什么势垒高度与金属的功函数基本无关。因为不管金属的功函数如何，与半导体接触后，费米能级都会被钉扎到中型等级，不会对势垒高度产生影响。所以wm小于ws的时候，欧姆接触也不存在了。全都是整流接触。对于si来说，可以具体的测量出定扎能剂。它距离倒带底的距离是2/3eg，vd同样也能求出来了，减去en先看硅二氧化硅系统中电荷状态的分类。
硅二氧化硅体系的过度性很好，经过2~3个原子层就能从晶体结构过渡到非晶体结构，而且没有一个截面突变性质比这种体系
